電解電容的篩選方法有哪些

時間：2020-01-05

作者：深圳市新晨陽電子有限公司

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貼片電容與的瓷片電容對比有什么優(yōu)點
貼片電容與的瓷片電容對比有什么優(yōu)點貼片電容的命名所包含的參數有貼片電容的尺寸、做這種貼片電容用的材質、要求達到的精度、要求的電壓、要求的容量、端頭的要求以及包裝的要求。瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩(wěn)定性和損耗要求不高的場合。這種電容器不宜
金屬化薄膜電容器的特點
金屬化薄膜電容即是在聚酯薄膜的表面蒸鍍一層金屬膜代替金屬箔做為電極，因為金屬化膜層的厚度遠小于金屬箔的厚度，因此卷繞后體積也比金屬箔式電容體積小很多，金屬化膜電容的優(yōu)點是“自愈”特性。所謂自愈特性就是假如薄膜介質由于在某點存在缺陷以及在過電壓作用下出現擊穿短路，而擊穿點的金屬化層可在電弧作用下瞬間熔化蒸發(fā)而形成一個很小的無金屬區(qū)。使電容的兩個較片重新相互絕緣而仍能繼續(xù)工作，因此較大提高了電
薄膜電阻和厚膜電阻有什么差異？
類似半導體產業(yè)或者薄膜物理這種任意面積遠大于厚度的情形中，貼片RB薄膜有著廣泛的應用。晶片上常用堆積有納米級厚度的薄膜，如果要注意這些薄膜的電阻阻值，就需要使用到薄膜RB電阻這一概念了比方，發(fā)光二級體的制造中，二較體PN結上作為電極而沉積的金屬的阻值很大程度影響了發(fā)光二較體的發(fā)光效率，所以需要將金屬半導體的接觸電阻小化，利用傳輸線模型丈量法以及四腳探針丈量法，就能夠確定金屬下方半導體層的薄膜電阻
電容的四種主要參數特性
電容的四種主要參數特性本文主要介紹了電容的參數，本文字數約600字，閱讀全文需6分鐘。 1、標稱電容量(CR)：電容器產品標出的電容量值。云母和陶瓷介質電容器的電容量較低；紙、塑料和一些陶瓷介質形式的電容量居中;通常電解電容器的容量較大。這是一個粗略的分類法。 2、類別溫度范圍：電容器設計所確定的能連續(xù)工作的環(huán)境溫度范圍，該范圍取決于它相應類別的溫度極限值，如上限類別溫度、下限類別溫度、額定