詞條
詞條說(shuō)明
全新原裝 運(yùn)算放大器 芯片 LM358BIDR 封裝SOP8
描述LM358B和LM2904B設(shè)備是工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)操作放大器(opamp)LM358和LM2904的下一代版本,其中包括兩個(gè)高壓(36V)op放大器。這些設(shè)備為成本敏感的應(yīng)用提供了**的**,其特點(diǎn)包括低偏移(300μV,典型)、共模輸入范圍和高差分輸入電壓能力。 LM358B和LM2904Bop放大器簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì),具有統(tǒng)一增益穩(wěn)定性、低偏移電壓3mV(室溫下較大),低靜止電流300μA(典型)。高
供應(yīng)原裝正品 TPS53353DQPR SON22 穩(wěn)壓器芯片IC
說(shuō)明 TPS53353 是一款具有集成 MOSFET 的 D-CAP? 模式、20A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。它們被設(shè)計(jì)用于易于使用、低外部組件數(shù)量和空間有限的電源系統(tǒng)。 這個(gè)器件特有 5.5mΩ/2.2mΩ 集成 MOSFET,精準(zhǔn) 1% 0.6V 基準(zhǔn)和集成的升壓開(kāi)關(guān)。具有競(jìng)爭(zhēng)力的特性包括:1.5V 至 15V 的轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍、較低外部元件數(shù)、針對(duì)**快速瞬態(tài)響應(yīng)的 D-CAP? 模式控制、自動(dòng)跳躍
供應(yīng) FDV301N 絲印301 SOT-23 N溝道 25V/220mA 貼片MOSFET 全新原裝
一般說(shuō)明 這種n通道邏輯級(jí)增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用仙童的專(zhuān)有的,高電池密度,DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種非常高密度的過(guò)程是特別適合于較小化狀態(tài)電阻。該裝置已被特別設(shè)計(jì)用于低壓應(yīng)用,作為數(shù)字晶體管的替代品。由于不需要偏置電阻,這種n通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以用不同的偏置電阻值代替幾個(gè)不同的數(shù)字晶體管。 特征 25V,0.22A連續(xù),0.5A峰值。 RDS(ON)=5W@VGS=2.7V RDS(ON)=4
供應(yīng) SN74AUP1G00DCKR TI SC70-5 門(mén)極和反相器 絲印:HAR原裝正品
描述這是一個(gè)單一的2輸入正納米門(mén),是設(shè)計(jì)在德州儀器的**低功率技術(shù)。它以正邏輯的形式執(zhí)行布爾函數(shù)Y=A×B或Y=A+B。 AUP系列設(shè)備的靜止功耗小于1μA,并采用了**小型的DPW軟件包。DPW封裝技術(shù)是集成電路封裝方面的重大突破。與其他包裝選項(xiàng)相比,它的0.64毫米平方毫米的微小足跡節(jié)省了顯著的板空間,同時(shí)仍然保留了傳統(tǒng)的制造友好型0.5毫米的鉛間距。 該設(shè)備已完全*用于使用Ioff的部分?jǐn)嚯?/p>
聯(lián)系人: 周斯琪
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STM8L151F3P6 C8T6 K4T6 G4U6 G6U6 K6T6 F3U6 C6T6 R8T6 C4U6
TPS62822DLCR VSON-8 貼片 絲?。篈2 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 原裝**
原裝** TPS389033GQDSERQ1 WSON-6 電源管理監(jiān)控和復(fù)位芯片IC
原裝** LPC54608J512BD208E 封裝LQFP208 NXP處理器MCU芯片IC
原裝** LT1172IS8#TRPBF 封裝:SO-8 開(kāi)關(guān)電源芯片IC
全新原裝 LM2775DSGR DC-DC電源芯片 升壓轉(zhuǎn)換器 價(jià)格優(yōu)勢(shì)
INA211AIDCKT 零漂移、高精度、低側(cè)/高側(cè)、電壓輸出電流分流監(jiān)控器 全新原裝
STM32F107VCT6 LQFP-100 ARM微控制器 - MCU 代理現(xiàn)貨 價(jià)格較優(yōu)
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