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國芯思辰|肖特基二極管B1D02065K助力醫(yī)療設(shè)備電源功率密度的提升
在嚴(yán)格醫(yī)療要求的設(shè)備中,電源的設(shè)計電不僅要達(dá)到理想的效率,同時盡可能保持小巧緊湊,且必須滿足IEC60601-1的嚴(yán)格要求和一系列的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),旨在確保醫(yī)療電氣設(shè)備的安全性和性能。本文主要介紹基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D02065K用于嚴(yán)格的醫(yī)療設(shè)備中,B1D02065K優(yōu)越的性能和較高的工作效率是電源設(shè)計的可以選擇產(chǎn)品。碳化硅肖特基二極管B1D02065K碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的
國芯思辰 | 同步降壓轉(zhuǎn)換器CN2020可替代LMR33620可用于路由器中
在設(shè)計消費類電子行業(yè)中,同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用不計其數(shù)。同步降壓轉(zhuǎn)換器是將電壓從較高的電平降至較低的電平,可以率、小的熱負(fù)荷、來實現(xiàn)降壓轉(zhuǎn)換。本文重點提到芯北科技同步降壓轉(zhuǎn)換器CN2020在無線路由器中的應(yīng)用電路。?同步降壓轉(zhuǎn)換器電路圖芯北科技同步降壓轉(zhuǎn)換器CN2020是一款脈寬調(diào)制式同步降壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成高側(cè)(90mΩ)和低側(cè)(70mΩ)兩個功率MOS管,較低的導(dǎo)通內(nèi)阻可以優(yōu)化產(chǎn)品的輸
國芯思辰|優(yōu)晶N溝道MOSFET YC40N04BDE?用于PCR儀TEC控制,滿足項目性能需求
YC40N04BDE是優(yōu)晶的N溝道MOSFET,該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點,廣泛應(yīng)用在DC/DC轉(zhuǎn)換、服務(wù)器的板載電源以及同步整流線路中。某工程師在PCR項目TEC控制部分需要用到4個N溝道場效應(yīng)管來控制TEC,該工程師想要了解一些國產(chǎn)廠牌的MOS,因此國芯思辰給其介紹了優(yōu)晶的N溝道場效應(yīng)管YC40N04BDE。YC40N04BDE具有以下特點:1、采用溝槽型功率中壓MOSFET技術(shù),VD
國芯思辰|基本半導(dǎo)體650V碳化硅肖特基二極管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站電源
*5代通信技術(shù)5G頻率越高,穿透和繞射能力會相對下降,信號智能直射傳播,很多偏僻地方就會收不到信號,微基站很好彌補了這項缺陷。微基站是一種從產(chǎn)品形態(tài)、**功率、覆蓋范圍等方面都相比傳統(tǒng)宏站小得多的低功率基站設(shè)備。微基站電源應(yīng)用場景包括直流遠(yuǎn)供電源、光電一體箱供電、太陽能模塊供電、智慧路燈電源等。由上圖可以看出,此款電源設(shè)備主要由4個單元組成,其中通信模塊和開關(guān)電源部分決定了5G微基站運行的可靠性。
公司名: 國芯思辰(深圳)科技有限公司
聯(lián)系人: 李子杰
電 話: 15013593818
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地 址: 廣東深圳福田區(qū)石廈街道新天世紀(jì)商務(wù)中心A座2908
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地芯科技8通道16位ADC GAD7689,替代AD7689,助力電能質(zhì)量檢測設(shè)備開發(fā),采樣速率250kSPS
芯北科技低壓差線性穩(wěn)壓器CN86L050替代貝嶺BL8062助力智能垃圾桶電源設(shè)計,輸出電流300mA?
中微愛芯LED段碼驅(qū)動芯片AIP1628用于充電槍,可Pin to Pin兼容TM1628?
芯熾單通道14位模數(shù)轉(zhuǎn)換器-ADC-SC8246,兼容LTC2245,實現(xiàn)手持式GPS定位儀系統(tǒng)設(shè)計
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC,替代C2M0080120D,助力光伏逆變器設(shè)計
中科阿爾法低功耗全較霍爾開關(guān)AH466-替代HAL248-助力咖啡機位置變化檢測
拍字節(jié)新型3D鐵電存儲器VFRAM,PB85RS128C助力工程車儀表盤
地芯科技16位1MSPS模數(shù)轉(zhuǎn)換器GAD7980-替代AD7980-助力振動傳感器設(shè)計
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