半導(dǎo)體技術(shù)公益課：芯片流片前的物理驗(yàn)證

時(shí)間：2020-04-18作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：145

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• 詞條

  詞條說明

• 雙束FIB設(shè)備介紹（二）

  樣品托 · 標(biāo)準(zhǔn)多功能樣品托，以*特方式直接安裝到樣品臺(tái)上，可容納18個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品托架（φ12mm）、3個(gè)預(yù)傾斜樣品托、 2個(gè)垂直和2個(gè)預(yù)傾斜側(cè)排托架*（38°和90°），樣品安裝 *工具 · 每個(gè)可選的側(cè)排托架可容納6個(gè)S/TEM銅網(wǎng) · 各種晶片和定制化樣品托可按要求提供* 系統(tǒng)控制 · 64位GUI（s 7）、鍵盤、光學(xué)鼠標(biāo) · 可同時(shí)激活多達(dá)4個(gè)視圖，分別顯示不同束圖像和/或信號(hào)， 真彩信

• PCB失效分析方法流程

  作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~，PCB已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的較為重要而關(guān)鍵的部分，其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定了整機(jī)設(shè)備的質(zhì)量與可靠性。但是由于成本以及技術(shù)的原因，PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用過程中出現(xiàn)了大量的失效問題。 對(duì)于這種失效問題，我們需要用到一些常用的失效分析技術(shù)，來使得PCB在制造的時(shí)候質(zhì)量和可靠性水平得到一定的保證，本文總結(jié)了**失效分析技術(shù)，供參考借鑒。 1.外觀檢查 外觀檢查就是

• 微量元素含量測(cè)試方法

  微量元素含量測(cè)試方法 近年來，元素含量測(cè)試儀器發(fā)展十分*，常見的測(cè)試儀器有原子反射光譜法（AES）、原子吸收光譜法（AAS）、X射線熒光光譜法（XRF）、電感耦合等離子體原子**光譜（ICP-AES）和質(zhì)譜（ICP-MS）等，由于各個(gè)儀器的技術(shù)方法存在局限性，如何對(duì)待測(cè)元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測(cè)試儀器原理、適用范圍兩個(gè)方面作簡要介紹。 1.原子**光譜（AES） 原子**光譜

• 失效分析含義和具體操作

  失效分析技術(shù)，失效分析實(shí)驗(yàn)室，失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時(shí)，通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手，進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時(shí)，常用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法，構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品