半導(dǎo)體進入2納米時代

時間：2020-04-29作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：147

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  詞條說明

• 熱插拔帶來的EOS損壞

  熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產(chǎn)品，如果熱插拔設(shè)計存在問題的話，*帶來EOS破壞。 產(chǎn)品熱插拔的時候，可能會帶來瞬時的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應(yīng)，最后燒壞芯片或器件。 某產(chǎn)品試用時，插拔時頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過比對電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進行EMMI測試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線燒損，判

• 中國集成電路產(chǎn)業(yè)2019年完成情況

  據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計公布：2019年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入為7562.3億元，同比增長15.80%，其中：設(shè)計業(yè)銷售收入為3063.5億元，同比增長21.6%，占總值40.5%；晶圓制造業(yè)銷售收入為2149.1億元，同比增長18.20%，占總值的28.40%；封測業(yè)銷售收入為2349.7億元，同比增長7.10%，占總值的31.1%。都**了較好的業(yè)績。 據(jù)海關(guān)統(tǒng)計，2019年中國集成電路進出

• 常用失效分析方法

  芯片常用分析手段： 1、X-Ray 無損偵測，可用于檢測 IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性 PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接 開路、短路或不正常連接的缺陷 封裝中的錫球完整性 2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡 可對IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕ 晶元面脫層 錫球、晶元或填膠中的裂縫 封裝材料內(nèi)部的氣孔 各種孔洞

• 白話芯片漏電定位方法科普

  白話芯片漏電定位方法科普 原創(chuàng) 儀準科技 王福成 轉(zhuǎn)載請寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來，在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個誤區(qū)，認為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)（laser scan Microscope). 目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采