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聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
封裝點(diǎn)膠工藝的改進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)公益課堂
半導(dǎo)體技術(shù)公益課堂 題 目: 半導(dǎo)體封裝點(diǎn)膠工藝的改進(jìn) 簡 介: 1.目前市面上的主流點(diǎn)膠方式 2.主流點(diǎn)膠的優(yōu)缺點(diǎn) 3.新興點(diǎn)膠方式(壓電技術(shù))應(yīng)用 4.壓電點(diǎn)膠應(yīng)用的優(yōu)缺點(diǎn) 時(shí) 長: 30分鐘 主講人: 江蘇高凱精密流體技術(shù)股份有限公司-謝靜 主要從事半導(dǎo)體封裝行業(yè)點(diǎn)膠技術(shù)的改進(jìn) 時(shí) 間 : 2020年4月12日(周日)下午3點(diǎn) 北軟檢測智能產(chǎn)品檢測實(shí)驗(yàn)室于2015年底實(shí)施運(yùn)營,能夠依據(jù)**、
失效分析FA常用工具介紹;透射電鏡(TEM);TEM一般被使用來分析樣品形貌(morholog;與TEM需要激發(fā)二次電子或者從樣品表面**的電子;然后用這種電子束轟擊樣品,有一部分電子能穿透樣品;對于晶體材料,樣品會引起入射電子束的衍射,會產(chǎn)生;對于TEM分析來說*為關(guān)鍵的一步就是制樣;集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機(jī)械;俄歇電子(AgerAna 失效分析常用工具介紹 透射電鏡(TE
作為各種元器件的載體與電路信號傳輸?shù)臉屑~,PCB已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的較為重要而關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定了整機(jī)設(shè)備的質(zhì)量與可靠性。但是由于成本以及技術(shù)的原因,PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用過程中出現(xiàn)了大量的失效問題。 對于這種失效問題,我們需要用到一些常用的失效分析技術(shù),來使得PCB在制造的時(shí)候質(zhì)量和可靠性水平得到一定的保證,本文總結(jié)了**失效分析技術(shù),供參考借鑒。 1.外觀檢查 外觀檢查就是
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
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