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詞條說明
可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個PN結(jié),分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,當(dāng)陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時,如果從控制較G輸入一個正向觸發(fā)信號,BG2便有基流ib2流過,經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基較相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集
IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源較(即**較E)。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵較(即門較G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有
晶閘管(Thyristor)它是晶體閘管的縮寫,也被稱為硅控制整流器;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)有三個較:陽極、陰極和控制較;晶閘管具有硅整流器件的特點,可在高壓、大電流條件下工作,工作過程可控制,廣泛應(yīng)用于可控整流、交流壓力調(diào)節(jié)、無接觸電子開關(guān)、逆變、變頻等電子電路中。晶閘管的工作原理晶閘管在工作過程中,其陽極(A)和陰極(K)晶閘管的主電路與電源和負(fù)載連接,晶閘管的門較G和陰極K連接到控制
首先二極管模塊分為:快恢復(fù)二極管模塊,肖特基二極管模塊,整流二i極管模塊也叫整流管模塊。快恢復(fù)二極管是一種能快速從通態(tài)轉(zhuǎn)變到關(guān)態(tài)的特殊晶體器件。導(dǎo)通時相當(dāng)于開關(guān)閉合(電路接通),截止時相當(dāng)于開關(guān)打開(電路切斷)。特性:開關(guān)速度快,快恢復(fù)二極管能夠在導(dǎo)通和截止之間快速轉(zhuǎn)化提高了器件的使用頻率和改善了波形??旎謴?fù)二極管模塊分400V快恢復(fù)二極管模塊,600V快恢復(fù)二極管模塊,1200V快恢復(fù)二極管模塊
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