全新原裝A0509D-2WR2 輸入4.5-5.5V 2W DC-DC電源模塊

時間：2021-08-23作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：166

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• 全新原裝 DP8205 8205A 貼片TSSOP8 鋰電池保護(hù)IC

  HSO8205是低RDSON淬火的N-CH模型。本產(chǎn)品適用于鋰離子電池組的應(yīng)用。 HSO8205滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求，功能可靠性齊全。 ?綠色設(shè)備可用的 ?超低門充電 ?優(yōu)秀的Cdv/dt效果下降 ?先進(jìn)的高細(xì)胞密度壕溝技術(shù) 符號參數(shù)額定單位 VDS漏源極電壓20 V VGS柵極源極電壓±12 VID@TA=25℃連續(xù)漏電流1 6 AID@TA=70℃連續(xù)漏電流1 5.4 A IDM脈沖漏電

• 供應(yīng)貼片 TL071CDR SOP-8 低噪聲 JFET輸入單路運(yùn)算放大器 原裝正品

  TL07x系列中的JFET輸入運(yùn)算放大器與TL08x系列相似，具有低輸入偏置和偏移電流，旋轉(zhuǎn)率快。低諧波失真和低噪聲使TL07x系列非常適合高保真和音頻前置放大器的應(yīng)用。每個放大器都具有JFET輸入（高輸入阻抗）耦合在單片芯片上集成的雙極輸出級。 C后綴設(shè)備的特征是操作從0°C到70°C.I后綴設(shè)備的特點(diǎn)是從?40°C到85°C.m-后綴裝置的特點(diǎn)是可在?55°C至125的全軍事溫度范圍內(nèi)運(yùn)行°C

• STM32F410CBT6 LQFP-48 32位微控制器MCU ARM單片機(jī)芯片

  描述 STM32F410x8/B設(shè)備基于高性能ARM?皮質(zhì)? -M4 32位RISC內(nèi)核，工作頻率高達(dá)100MHz。他們的大腦皮層?-M4內(nèi)核具有浮點(diǎn)單元（FPU）單精度，支持所有ARM單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實(shí)現(xiàn)了一整套DSP指令和一個內(nèi)存保護(hù)單元（MPU），增強(qiáng)了應(yīng)用程序的安全性。STM32F410x8/B屬于STM32動態(tài)效率? 產(chǎn)品線（結(jié)合了能效、性能和集成的產(chǎn)品），同時添加了一

• BSR302N L6327 IR 全新原裝 現(xiàn)貨供應(yīng)

  OptiMOS? 2小信號晶體管 特征 ?N通道 ?增強(qiáng)模式 ?邏輯電平（4.5V） ?額定雪崩 ?與SOT23兼容的封裝外形 ?額定dv/dt ?無鉛電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 參數(shù)符號條件單元 連續(xù)漏電流I D T A=25°C 3.7 A T A=70°C 2.9 脈沖漏極電流I D，脈沖T A=25°C 14.7 雪崩能量，單脈沖E，Id=3.7A，Rgs=25? 30兆焦耳 反向二極管dv/