【德國西門康可控硅】可控硅簡介

時間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：802

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  詞條說明

• 【德國西門康可控硅】可控硅工作原理

  可控硅工作原理結(jié)構(gòu)原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電

• 晶閘管工作原理

  1、晶閘管(SCR)晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導(dǎo)體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦?而且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性,它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。晶閘管的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)較快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統(tǒng)

• 英飛凌IGBT模塊檢測方法

  英飛凌IGBT模塊檢測方法 ：測試方式：用萬用表只能測量，但不全面，若IGBT損壞一般可以測量出來，但是，若IGBT是好的，它無法肯定是好的。IGBT損壞標(biāo)準(zhǔn)：GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即為損壞。（GE表示G接正表筆，E接負(fù)表筆；其它類同）IGBT的EC之間接有二極管，所以為導(dǎo)通狀態(tài)，電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1

• 高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測試？

  其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊，如圖4所示。電壓等級1200V，電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點(diǎn)，可以達(dá)到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點(diǎn)，新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計方法，在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33％。因此本實(shí)驗(yàn)選用此高功率密度IGBT模塊，分別使用兩種驅(qū)動對