怎么選擇PRX可控硅模塊

時間：2025-06-26

作者：昆山奇沃電子有限公司

18962647678

詞條
詞條說明
英飛凌各代IGBT模塊技術詳解
# IGBT模塊技術的演進與未來趨勢## IGBT技術發(fā)展歷程IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊技術自問世以來經(jīng)歷了多次重大革新。早期產(chǎn)品采用平面柵結構，開關速度相對較慢，導通損耗較高。隨著工藝進步，溝槽柵技術應運而生，顯著降低了導通壓降，提高了開關頻率。第三代IGBT引入場終止技術，使芯片厚度大幅減小，同時保持了良好的阻斷電壓能力。近年來出現(xiàn)的第七代IGBT模塊在功率密度方面取得突破，單位面積電
英飛凌可控硅的作用
在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，精確控制大功率電流是核心技術之一。作為電力電子領域的核心元器件，可控硅（Thyristor）發(fā)揮著不可替代的作用。而在眾多品牌中，英飛凌可控硅以其卓越的性能和可靠性，成為行業(yè)內的成員產(chǎn)品。一、可控硅的基本原理與結構特點可控硅是一種具有三個PN結的四層結構大功率半導體器件，其基本結構由P-N-P-N四層半導體材料組成，形成三個PN結。這種特殊結構使得可控硅具有單向導電性，同時又
揚州進口吸收電容的種類及優(yōu)缺點
引言在現(xiàn)代電子電路設計中，吸收電容作為抑制電壓尖峰、保護敏感元件的關鍵組件，其性能直接關系到整個系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。揚州作為華東地區(qū)重要的電子元器件集散地，匯聚了眾多國際知名品牌的進口吸收電容產(chǎn)品。本文將詳細介紹揚州市場上常見的進口吸收電容種類及其各自的優(yōu)缺點，幫助工程師和采購人員做出更明智的選擇。一、進口吸收電容的基本概念進口吸收電容是電子電路中用于吸收能量、抑制電壓尖峰的關鍵元件，常見于電
整流橋模塊廠家?guī)懔私庹鳂蚰K
整流橋模塊廠家?guī)懔私庹鳂蚰K整流橋一般帶有足夠大的電感性負載，因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。一般整流橋應用時, 常在其負載端接有平波電抗器, 故可將其負載視為恒流源。1.什么是整流橋模塊整流橋的作用將交流電轉換為直流電。整流橋是通過二極管的單向導通原理來完成整流作的，所以將其接入交流電路時它能使電路中的電流只按單向流動，即所謂“整流”。整流器通常由4只二極管組成單相橋式全波整流器和6只二極管組