等離子體CMOS工藝中應(yīng)用于集成電路制造中WAT方法研究

時(shí)間：2023-03-14作者：深圳子柒科技有限公司瀏覽：146

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 等離子體CMOS工藝中應(yīng)用于集成電路制造中WAT方法研究

  WAT(Wafer Accept Test)即硅圓片接收測(cè)試，就是在半導(dǎo)體硅片完成所有的制程工藝后，對(duì)硅圓片上的各種測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行電性測(cè)試，它是反映產(chǎn)品質(zhì)量的一種手段，是產(chǎn)品入庫(kù)前進(jìn)行的一道質(zhì)量檢驗(yàn)。? ? ? ??伴隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，等離子體工藝已廣泛應(yīng)用于集成電路制造中，離子注入、干法刻蝕、干法去膠、UV輻射、薄膜淀積等都可能會(huì)引入等離子體損

• ?plasma等離子體能量密度對(duì)H2氣氛下C2H6脫氫反應(yīng)的影響

  ?plasma等離子體能量密度為860 kJ/mol時(shí)，H2添加量對(duì)C2H6脫氫反應(yīng)的影響：隨著H2濃度增加，C2H6轉(zhuǎn)化率，C2H2、C2H4和CH4收率均有所增加，這表明H2的加入有利于C2H6轉(zhuǎn)化及C2H2、C2H4和CH4生成。產(chǎn)生上述結(jié)果的可能原因是：一方面氫氣因其導(dǎo)熱性好，可大量傳遞熱量，在乙烷plasma等離子體中起稀釋氣體作用;另一方面氫氣的H-H鍵斷裂能為4.48eV，

• 等離子處理機(jī)清洗后鋁片黏附與改性前降低了黏附

  ?等離子處理機(jī)誘導(dǎo)產(chǎn)生的活性種(例如自由基等)，提供了表面二(乙二醇)甲醚分子碎片再次相結(jié)合做好反應(yīng)的機(jī)制。自由基落入成的分子網(wǎng)絡(luò)中，可觸發(fā)劇烈的電子激發(fā)原位氧化反應(yīng)。?對(duì)等離子處理機(jī)處理后的鋁片分子層構(gòu)造做ATR-FTIR剖析，在1583.07cm處有個(gè)較強(qiáng)的吸收峰，這也是PEG構(gòu)造中C-O鍵的特征吸收峰，表明沉積的表面層是類PEG構(gòu)造。1780.21cm處的吸收峰，說(shuō)明有C

• 電漿清洗機(jī)比超聲波清洗機(jī)在處理微觀材料表層顯得更環(huán)保

  電漿清洗機(jī)是1種嶄新的科技創(chuàng)新，使用等離子體高過(guò)日常潔凈方式難以高過(guò)的功效。等離子體是物質(zhì)的狀態(tài)，也稱為物質(zhì)的*四狀態(tài)。在氣體中施加足夠的能量使其分離成等離子。等離子體的“活性”組分包含：離子、電子、活性基團(tuán)、激發(fā)態(tài)的核素（亞穩(wěn)態(tài)）、光子等。電漿清洗機(jī)使用這種活性成份的類型處理試樣表層，高過(guò)清潔等作用。常壓電漿清洗機(jī)可選用多種型號(hào)的噴嘴，用于不同場(chǎng)合，以滿足各種不同的產(chǎn)品和處理環(huán)境；小型化的設(shè)備體