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IGBT的作用 IGBT是一種功率晶體管,運(yùn)用此種晶體設(shè)計(jì)之UPS可有效提升產(chǎn)品效能,使電源品質(zhì)好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長等多種優(yōu)點(diǎn)。 IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,陽極,和控制極。關(guān)斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時候存在很小的電阻,通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷。 IGBT選型四個基本
富士IGBT在電子設(shè)備中有多種應(yīng)用,包括但不限于以下幾個方面:變頻器和驅(qū)動器:富士IGBT廣泛應(yīng)用于變頻器和驅(qū)動器中,用于控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩。通過調(diào)節(jié)富士IGBT的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài),可以實(shí)現(xiàn)對變頻器輸出電壓和頻率的精確控制,從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)的調(diào)速、啟動和制動等功能。電力系統(tǒng)和供電設(shè)備:富士IGBT在電力系統(tǒng)和供電設(shè)備中的應(yīng)用包括交流/直流電源、UPS(不間斷電源)、電網(wǎng)穩(wěn)壓器和電動車充電器等。富士IG
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
1、系統(tǒng)概述現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT(絕緣柵型場效應(yīng)晶體管)已成為大功率元件的主流,在市場上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步,電力電子裝置對輕薄短小及高性能之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展,尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換....等領(lǐng)域,使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場需求下,對大功率元件的發(fā)展技術(shù),持續(xù)在突破。半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外,其
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
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