聚焦離子束顯微鏡FIB應(yīng)用

時(shí)間：2020-03-25作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：131

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 半導(dǎo)體進(jìn)入2納米時(shí)代

  半導(dǎo)體進(jìn)入2納米時(shí)代 推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步有兩個(gè)輪子，一個(gè)是尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，顯然尺寸縮小是主力，因?yàn)楣杵睆皆龃笊婕罢麠l生產(chǎn)線設(shè)備的更換。 現(xiàn)階段除了尺寸繼續(xù)縮小之外，利用成熟制程的特色工藝及*三代半導(dǎo)體等正風(fēng)生水起，將開辟定律的另一片新的天地。 臺(tái)積電正討論在美國(guó)開建2納米工廠事項(xiàng)，目前的態(tài)勢(shì)分析這個(gè)決定不好下，因?yàn)槭袌?chǎng)與投資（可能約500億美元）兩個(gè)都是關(guān)鍵因素。 據(jù)閩臺(tái)地區(qū)《經(jīng)濟(jì)

• 失效分析實(shí)驗(yàn)室選擇

  失效分析技術(shù)，失效分析實(shí)驗(yàn)室，失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過(guò)程。此過(guò)程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時(shí)，通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手，進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時(shí)，常用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法，構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品

• 測(cè)試補(bǔ)貼最高90%

  在北京地區(qū)注冊(cè)，具有獨(dú)立法人資格，在職正式職工不多于100人，營(yíng)業(yè)收入1000萬(wàn)元以下，注冊(cè)資金不**2000萬(wàn)元，具有健全的財(cái)務(wù)機(jī)構(gòu)，管理規(guī)范，無(wú)不良誠(chéng)信記錄； 每年度符合補(bǔ)貼要求的業(yè)務(wù)合同金額在 10萬(wàn)元及以下的部分按照較高不**過(guò)90%的比例核定； **過(guò)10萬(wàn)元至50萬(wàn)元的部分按照較高不**過(guò)60%的比例核定； **過(guò)50萬(wàn)元至100萬(wàn)元的部分按照較高不**過(guò)30%的比例核定； **過(guò)100萬(wàn)元以上的

• 手動(dòng)探針臺(tái)廠家介紹

  儀準(zhǔn)科技有限公司是一家專業(yè)的半導(dǎo)體分析設(shè)備的整合商，產(chǎn)品涵蓋半導(dǎo)體、LCD (TFT)、LED、太陽(yáng)能等高科技領(lǐng)域。 近年來(lái)，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)已經(jīng)成為切換電源的主要功率元件，從場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)、雙極性結(jié)式晶體管(BJT)、MOSFET、到絕緣閘較雙較晶體管(IGBT)，現(xiàn)在出現(xiàn)了氮化鎵(GaN)，可讓切換電源的體積大幅縮小。 例如，納微半導(dǎo)體(Navitas)推出