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半導(dǎo)體進入2納米時代 推動半導(dǎo)體業(yè)進步有兩個輪子,一個是尺寸縮小,另一個是硅片直徑增大,顯然尺寸縮小是主力,因為硅片直徑增大涉及整條生產(chǎn)線設(shè)備的更換。 現(xiàn)階段除了尺寸繼續(xù)縮小之外,利用成熟制程的特色工藝及*三代半導(dǎo)體等正風(fēng)生水起,將開辟定律的另一片新的天地。 臺積電正討論在美國開建2納米工廠事項,目前的態(tài)勢分析這個決定不好下,因為市場與投資(可能約500億美元)兩個都是關(guān)鍵因素。 據(jù)閩臺地區(qū)《經(jīng)濟
失效分析樣品準備: 失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié),無論對于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因為失效分析設(shè)備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備,因此借用外力,使用對外開放的資源,來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時需要準備
儀準科技*生產(chǎn)的微光顯微鏡,失效分析設(shè)備,失效分析實驗室建設(shè) 就半導(dǎo)體元器件故障失效分析而言,微光顯微鏡EMMI是一種相當(dāng)有用且效率較高的分析工具。主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中,EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會放出光子(Photon)。 舉例說明:在P-N 結(jié)加偏壓,此時N阱的電子很*擴散到P阱,而P的空穴也*擴散至N然後與P端的
失效分析(FA)是一門發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進,產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。其方法分為有損分析,無損分析,物理分析,化學(xué)分析等 失效分析的意義:分析機械零器件失效原因,為事故責(zé)任認定、偵破刑事犯罪案件、裁定賠償責(zé)任、保險業(yè)務(wù)
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機: 13488683602
微 信: 13488683602
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
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網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com
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BW-AH-5520 半導(dǎo)體自動溫度實驗系統(tǒng)
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