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1、系統(tǒng)概述現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT(絕緣柵型場效應晶體管)已成為大功率元件的主流,在市場上居于主導地位。由于科技進步,電力電子裝置對輕薄短小及高性能之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展,尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換....等領域,使半導體開發(fā)技術人員在市場需求下,對大功率元件的發(fā)展技術,持續(xù)在突破。半導體元件除了本身功能要良好之外,其
1、安全工作區(qū)在安全上面,主要指的就是電的特性,除了常規(guī)的變壓電流以外,還有RBSOA(反向偏置安全工作區(qū))和短路時候的保護。這個是開通和關斷時候的波形,這個是相關的開通和關斷時候的定義。我們做設計時結溫的要求,比如長期工作必須保證溫度在安全結溫之內,做到這個保證的前提是需要把這個模塊相關的應用參數(shù)提供出來。這樣結合這個參數(shù)以后,結合選擇的IGBT的芯片,還有封裝和電流,來計算產品的功耗和結溫,是
本公司是一家專業(yè)回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT的科技公司。電子元器件是電子元件和電小型的機器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構成,可以在同類產品中通用;常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件,如電容、晶體管、游絲、發(fā)條等子器件的總稱。常見的有二極管等。電子元器件包括:電阻、電容器、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器、半導體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件
IGBT的工作原理IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經理
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