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IGBT如何選型 1、IGBT額定電壓的選擇 三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后,直流母線電壓的最大值:在開關(guān)工作的條件下,IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級,選擇1200V電壓等級的IGBT。 2、IGBT額定電流的選擇 以30kW變頻器為例,負(fù)載電流約為79A,由于負(fù)載電氣啟動或加速時,電流過載,一般要求1分鐘的時間內(nèi),承受1.5倍的過流,擇最大負(fù)載
富士IGBT在電子設(shè)備中有多種應(yīng)用,包括但不限于以下幾個方面:變頻器和驅(qū)動器:富士IGBT廣泛應(yīng)用于變頻器和驅(qū)動器中,用于控制電機的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩。通過調(diào)節(jié)富士IGBT的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài),可以實現(xiàn)對變頻器輸出電壓和頻率的精確控制,從而實現(xiàn)電機的調(diào)速、啟動和制動等功能。電力系統(tǒng)和供電設(shè)備:富士IGBT在電力系統(tǒng)和供電設(shè)備中的應(yīng)用包括交流/直流電源、UPS(不間斷電源)、電網(wǎng)穩(wěn)壓器和電動車充電器等。富士IG
IGBT的工作原理IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)
1、一般保存IGBT模塊的場所,應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5℃~35℃,常濕的規(guī)定為45%~75%。在冬天特別干燥的地區(qū),需要加濕機加濕。2、盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。3、在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方。4、IGBT模塊在未投入生產(chǎn)時不要裸露放置,防止端子氧化情況的發(fā)生。上述就是為你介紹的有關(guān)IG
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
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