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詞條說明
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水
IGBT可以在許多條件下使用,但以下幾個條件是使用IGBT的重要考慮因素:高電壓和高電流:IGBT適用于高電壓(數千伏范圍)和高電流(幾百安培以上)的應用。它們可以承受較高的電壓和電流,并提供可靠的功率開關能力。高頻開關:IGBT能夠實現高頻率的開關操作,因此適用于需要頻繁切換的應用。高頻開關可以實現高效能轉換和緊湊的系統(tǒng)設計??焖匍_關速度:選擇IGBT時需要考慮所需的開關速度。如果應用需要快速的
方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低
正確選擇富士IGBT的關鍵在于了解和確定以下幾個因素:額定電壓(Vce)和額定電流(Ic):根據實際應用需求,確定所需的額定電壓和額定電流范圍,以確保所選富士IGBT能夠滿足工作條件。開關速度:根據應用的開關頻率和響應要求,選擇富士IGBT的開關速度,一般有標準、高速和超快三種類型可選。包裝類型:富士IGBT有各種不同的封裝形式,如插件型、表面貼裝型和模塊型等,根據設備的安裝和布局要求,選擇適合的
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經理
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地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
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